RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Confronto
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
40
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
11.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
32
Velocità di lettura, GB/s
11.3
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1654
1897
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link