RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
94
Intorno -262% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.6
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.7
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
26
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
16.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
4084
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Inmos + 256MB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSA8GX3M1A1333C9 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link