RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
94
Intorno -292% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.7
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.6
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
24
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
22.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
18.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
4202
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link