RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
94
Intorno -194% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.6
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
32
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
3742
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
AMD R7416G2133U2S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Team Group Inc. 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link