RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
94
Intorno -292% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.5
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
24
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
6.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
2113
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PEP22G6400LL 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link