RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
94
Intorno -327% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
22
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
2611
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link