RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
94
Intorno -161% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
36
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
2981
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link