RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
94
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.5
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
47
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
2308
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link