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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Motivi da considerare
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
94
Intorno -154% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
37
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
2389
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
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