RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Confronto
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
27
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.6
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.8
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
23
Velocità di lettura, GB/s
13.4
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
18.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2181
4095
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link