RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Confronto
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
42
Intorno 38% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
9.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
42
Velocità di lettura, GB/s
14.0
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.1
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2330
2750
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Confronto tra le RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link