RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Confronto
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
67
Intorno 61% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
8.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
67
Velocità di lettura, GB/s
14.0
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.1
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2330
2030
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Confronto tra le RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link