RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Confronto
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
46
Intorno 43% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
9.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
46
Velocità di lettura, GB/s
14.0
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.1
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2330
2660
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Confronto tra le RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link