RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Confronto
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Punteggio complessivo
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
26
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
9.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
20
Velocità di lettura, GB/s
14.0
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.1
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2330
3483
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Confronto tra le RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link