RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Confronto
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
56
Intorno -93% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
1,925.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
29
Velocità di lettura, GB/s
4,315.2
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,925.7
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
658
3302
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Confronto tra le RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link