RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
66
Intorno -74% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
38
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
2483
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Segnala un bug
×
Bug description
Source link