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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
66
Intorno -57% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
42
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
2427
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
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