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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Motivi da considerare
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
56
66
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
56
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
2200
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
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