RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
AMD R7416G2133U2S 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
78
Intorno 41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R7416G2133U2S 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.7
2,061.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
78
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
1594
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
AMD R7416G2133U2S 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link