RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
46
Intorno -39% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
33
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3157
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link