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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
46
Intorno -64% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
28
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3485
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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