RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
46
Intorno -109% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
22
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3310
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link