RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
46
Intorno -12% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
41
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3073
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link