RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
13.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
46
Intorno -109% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
22
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3007
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link