RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
11.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
46
Intorno -35% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
34
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3243
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link