RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
46
Intorno -64% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
28
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
19.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3650
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link