RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
46
Intorno -109% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
22
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3411
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link