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AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Confronto
AMD AE34G2139U2 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G2139U2 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
AMD AE34G2139U2 4GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
56
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.0
5.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
36
Velocità di lettura, GB/s
7.4
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
5.6
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1462
1891
AMD AE34G2139U2 4GB Confronto tra le RAM
AMD R938G2130U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
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