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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
73
Intorno -143% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
30
Velocità di lettura, GB/s
6.3
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
3389
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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