RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
73
Intorno -192% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.3
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
25
Velocità di lettura, GB/s
6.3
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
18.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
3731
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link