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AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Confronto
AMD R538G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601U2S 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
29
Intorno 34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
19
29
Velocità di lettura, GB/s
18.4
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.3
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3189
2177
AMD R538G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
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