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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Confronto
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
39
Intorno 33% latenza inferiore
Motivi da considerare
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
10.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
39
Velocità di lettura, GB/s
14.2
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2634
2159
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
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