RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Confronto
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Punteggio complessivo
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
54
Intorno -200% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.4
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
1,131.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
4200
Intorno 4.57 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
18
Velocità di lettura, GB/s
2,710.2
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,131.7
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
19200
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
3814
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB Confronto tra le RAM
Mushkin 991556 (996556) 2GB
Kingston 6400DT Series 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link