RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avexir Technologies Corporation DDR3-1600 CL10 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Confronto
Avexir Technologies Corporation DDR3-1600 CL10 8GB vs Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR3-1600 CL10 8GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR3-1600 CL10 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
71
Intorno 65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
9.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
6.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Avexir Technologies Corporation DDR3-1600 CL10 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
71
Velocità di lettura, GB/s
14.7
9.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2634
1484
Avexir Technologies Corporation DDR3-1600 CL10 8GB Confronto tra le RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Avexir Technologies Corporation DDR3-1600 CL10 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link