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Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Confronto
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
26
Intorno 23% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.6
17.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.7
12.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
20
26
Velocità di lettura, GB/s
17.3
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
16.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2568
4084
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB Confronto tra le RAM
Mushkin 992038 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
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