RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Confronto
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
39
Intorno -63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
8.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
24
Velocità di lettura, GB/s
14.6
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2355
2969
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link