RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
77
Intorno 68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
6.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
77
Velocità di lettura, GB/s
14.2
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2307
1549
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Inmos + 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link