Confronto tra le RAM Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Punteggio complessivo

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

25 38

Intorno 34% latenza inferiore

Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.5 14.2

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.0 8.1

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 12800

Intorno 2 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2307 2283

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns