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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Confronto
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
35
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
21
Velocità di lettura, GB/s
14.3
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2479
3380
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX2133C11D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
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