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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Confronto
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
30
Intorno 43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.8
16.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
13.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
10600
Intorno 2.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
17
30
Velocità di lettura, GB/s
22.8
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
15.4
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
23400
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3391
3310
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
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Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
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