RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Confronto
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
37
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
7.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
26
Velocità di lettura, GB/s
11.4
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1683
2691
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link