RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Confronto
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
48
Intorno 29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
12.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
9.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
48
Velocità di lettura, GB/s
16.2
12.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2636
3061
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link