RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
65
Intorno 35% latenza inferiore
Motivi da considerare
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
65
Velocità di lettura, GB/s
13.2
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
2058
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link