RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
8.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
42
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
24
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
2326
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB Confronto tra le RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
OCZ OCZ2RPX8002G 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link