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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Confronto
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
23
Velocità di lettura, GB/s
13.6
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2096
3260
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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