RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Confronto
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
80
Intorno 49% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
14.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
80
Velocità di lettura, GB/s
14.2
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2412
1775
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/4GX 2GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link