RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Confronto
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Punteggio complessivo
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
37
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.4
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
37
Velocità di lettura, GB/s
14.3
21.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2227
3448
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link