RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Confronto
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
35
Intorno 17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
35
Velocità di lettura, GB/s
14.3
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2227
2200
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link