Confronto tra le RAM Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Punteggio complessivo

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

29 31

Intorno 6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

14.3 12.5

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

10.1 9.4

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 12800

Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2227 2361

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns