RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Punteggio complessivo
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
39
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.2
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
36
Velocità di lettura, GB/s
13.2
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2165
3256
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link